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CN120184014A 一种硅基氮化物薄膜层的刻蚀方法及刻蚀设备 （重庆芯联微电子有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-04-10 发布于重庆
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CN120184014A 一种硅基氮化物薄膜层的刻蚀方法及刻蚀设备 （重庆芯联微电子有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN120184014A

    (43)申请公布日2025.06.20

    (21)申请号202510165716.5

    (22)申请日2025.02.14

    (71)申请人重庆芯联微电子有限公司

    地址4

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