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新建16万片6英寸IGBT用硅片生产及绝缘栅双极型晶体管配套项目可行性研究报告

第一章总论

项目背景

当前全球能源结构加速转型，新能源发电、电动汽车、工业自动化及智能电网等领域蓬勃发展，带动绝缘栅双极型晶体管（IGBT）市场持续扩容。作为IGBT芯片制造的核心基底材料，高纯度6英寸硅片的战略重要性日益凸显。我国虽为全球最大的电力电子市场，但高端IGBT用硅片长期依赖进口，技术与供应受制于人，成为制约产业链自主可控的关键瓶颈。

国家“十五五”规划（2026-2030年）将功率半导体纳入产业基础再造工程重点目录，明确提出要突破半导体材料、核心器件等“卡脖子”技术。《新型电力系统发展蓝皮书》要求