CN120033064A 耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片 (上海微世半导体有限公司).pdfVIP

  • 8
  • 0
  • 约8.88千字
  • 约 10页
  • 2026-04-11 发布于重庆
  • 举报

CN120033064A 耐高压芯片的制备方法及耐高压芯片 (上海微世半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120033064A

(43)申请公布日2025.05.23

(21)申请号202510163396.X

(22)申请日2025.02.14

(71)申请人上海微世半导体有限公司

地址201401上海市奉贤区南桥镇沿江路

752号

(72)发明人丁波王超陈瀚侯金松

杭海燕谷卫东智朋张伟

(74)专利代理机构上海远同律师事务所31307

专利代理师许力

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

C30B28/14(2006.01)

C30B29/06(2006.01)

C23C16/34(2006.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档