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  • 2026-04-11 发布于浙江
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2.2PN结的形成及特性

2.2.1PN结的形成

2.2.2PN结的单向导电性

2.2.3PN结的反向击穿

2.2.4PN结的电容效应

2.2.1PN结的形成

在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别

形成N型半导体和P型半导体。此时,将在N型半导体

和P型半导体的结合面上形成PN结。

图2.2.1PN结的形成

对于P型半导体和N型半导体结合面,离

子薄层形成的空间电荷区称为PN结。

在空间电荷区,由于缺少多子,所以也

称耗尽层。

将在N型和P型半导体的结合面上发生如下物理过程:

因浓度差

多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区

空间电荷区形成内电场



内电场促使少子漂移

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