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- 2026-04-11 发布于浙江
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2.2PN结的形成及特性
2.2.1PN结的形成
2.2.2PN结的单向导电性
2.2.3PN结的反向击穿
2.2.4PN结的电容效应
2.2.1PN结的形成
在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别
形成N型半导体和P型半导体。此时,将在N型半导体
和P型半导体的结合面上形成PN结。
图2.2.1PN结的形成
对于P型半导体和N型半导体结合面,离
子薄层形成的空间电荷区称为PN结。
在空间电荷区,由于缺少多子,所以也
称耗尽层。
将在N型和P型半导体的结合面上发生如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
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