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CN119148461B 离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法 （荣芯半导体(宁波)有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-12 发布于山西
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CN119148461B 离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法 （荣芯半导体(宁波)有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN119148461B

    (45)授权公告日2025.06.27

    (21)申请号202411604873.3

    (22)申请日2024.11.12

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119148461A

    (43)申请公布日2024.12.17

    (73)专利权人荣芯半导体（宁波）有限公司

    地址315809浙江省宁波市北仑区柴桥街

    道金水桥路28号4幢1号1层-1

    (72)发明人苗吉峰吴胜武

    (74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限

    公司31295

    专利代理师王宏婧

    (51)Int.C

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