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电子功能材料与元器件习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（每题2分，共20分）

1.下列半导体材料中，禁带宽度最大的是（）。

A.Si（1.12eV）

B.Ge（0.67eV）

C.GaAs（1.43eV）

D.GaN（3.4eV）

2.压电效应的产生原因是（）。

A.材料在电场中发生极化

B.材料在机械应力下产生表面电荷

C.材料温度变化导致电阻变化

D.材料在磁场中磁化

3.PN结的反向饱和电流随温度升高而（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

4.高介电材料（如HfO?）用于制造MOS电容器的栅介质，主要目的是为了（）。

A.减小栅电容

B.增大栅电容

C.提高击穿电压

D.降低成本

5.N型半导体的多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

6.介电损耗的主要原因是（）。

A.材料电阻率低

B.介质在交变电场中极化滞后

C.材料磁性太强