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破局IGBT串联动态不均压困境：关键技术与策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

1.1.1研究背景

随着现代工业的快速发展，电力电子技术在各个领域的应用日益广泛，如智能电网、新能源发电、电动汽车、轨道交通等。在这些应用场景中，常常需要处理高电压、大功率的电能转换和控制任务。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的功率半导体器件，因其具有开关速度快、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小等优点，成为了实现高效电能转换的关键元件，在许多电力电子装置中得到了大量应用。

然而，单个IGBT的耐压等级和电流容量是有限的，目前市场上常见的IGBT产品，其耐压水平一般在6.5kV以下。