CN120111904A 垂直氮化镓隧穿功率二极管及其制作方法 (西安电子科技大学).pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.87万字
  • 约 13页
  • 2026-04-17 发布于重庆
  • 举报

CN120111904A 垂直氮化镓隧穿功率二极管及其制作方法 (西安电子科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120111904A

(43)申请公布日2025.06.06

(21)申请号202510192161.3

(22)申请日2025.02.21

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人毛维武静杨翠张占军

张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

专利代理师王品华

(51)Int.Cl.

H10D8/75(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档