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CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403161A 一种低导通电阻沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403161A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202411975403.8

    (22)申请日2024.12.31

    (71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

    地址101300北京市顺义区中关村科技园

    区顺义园临空二路1号

    (72)发明人周海施广彦胡臻何佳

    (74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

    专利代理师刘晓明

    (51)Int.Cl.

    H10D30/01(2025.01)

    H10D30/66(2025.01)

    H

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