1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 电子工程/通信技术
  5. 电子设计

CN119403206A 半导体结构的形成方法 （深圳市昇维旭技术有限公司）.docxVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.94万字
  • 约 28页
  • 2026-04-17 发布于山西
  • 举报

CN119403206A 半导体结构的形成方法 （深圳市昇维旭技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403206A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202410783329.3

    (22)申请日2024.06.17

    (71)申请人深圳市昇维旭技术有限公司

    地址518000广东省深圳市龙岗区平湖街

    道辅城坳社区新源三巷1号B栋104

    (72)发明人苏茂华

    (74)专利代理机构深圳市联鼎知识产权代理有限公司44232

    专利代理师刘抗美

    (51)Int.Cl.

    H10D84/03(2025.01)

    权利要求书2页说明书9页附图6页

    (54)发明名称

    半导体结构的形成

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >