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CN119403195A 利用导电材料沉积在半导体上以产生相变和欧姆接触所形成的半导体器件及其制造方法 （香港科技大学）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403195A 利用导电材料沉积在半导体上以产生相变和欧姆接触所形成的半导体器件及其制造方法 （香港科技大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403195A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202410999773.9

    (22)申请日2024.07.24

    (30)优先权数据

    63/515,5942023.07.26US

    63/518,8802023.08.11US

    (71)申请人香港科技大学

    地址中国香港九龙清水湾

    (72)发明人杨森陈泽颖卢颖琪王宁

    (74)专利代理机构深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)44588

    专利代理师王琴曹玉存

    (51)Int.Cl.

    H10D64

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