CN119403435A 深沟槽电阻器结构及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403435A 深沟槽电阻器结构及其形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119403435A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202410735250.3

(22)申请日2024.06.07

(30)优先权数据

63/540,0832023.09.24US

18/616,5132024.03.26US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人廖诗瑀程仲良

(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258

专利代理师朱亦林

(51)Int.Cl.

H10N97/00(2023.0

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