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CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403197A 镍硅化物的形成方法及半导体器件 （晶芯成(北京)科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403197A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202510001030.2

    (22)申请日2025.01.02

    (71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

    地址100176北京市大兴区北京经济技术

    开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

    申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

    (72)发明人黄艳丽陈涛

    (74)专利代理机构北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙)11804

    专利代理师杜丹丹

    (51)Int.Cl.

    H10D64/01(2025.0

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