磁控溅射法制备钨铼合金氧化铟锡复合薄膜热电偶温度传感器工艺规范.docxVIP

磁控溅射法制备钨铼合金氧化铟锡复合薄膜热电偶温度传感器工艺规范

1总则

1.1编制目的

为规范磁控溅射法制备钨铼合金-氧化铟锡（ITO）复合薄膜热电偶温度传感器的生产工艺，明确各环节技术要求、操作标准及质量控制要点，确保产品性能稳定、一致性良好，满足高温、高精度温度测量场景需求，保障生产过程安全、高效、有序，结合生产实际及相关技术标准，制定本规范。

1.2适用范围

本规范规定了磁控溅射法制备钨铼合金（W-Re）/氧化铟锡（ITO）复合薄膜热电偶温度传感器的工艺准备、基板处理、靶材选用与安装、溅射参数控制、薄膜制备、后续处理、性能检测及包装储存等全流程技术要求。适用于采用直流磁控溅射、射频磁控溅射工艺，以绝缘基板为载体，制备用于-50℃~800℃温度测量的复合薄膜热电偶温度传感器的生产活动，不适用于其他制备方法（如蒸镀、电镀）及其他类型薄膜热电偶的生产。

1.3编制依据

依据《薄膜热电偶技术条件》（GB/T18404-2017）、《磁控溅射薄膜制备通用技术规范》（SJ/T11561-2016）、《氧化铟锡（ITO）薄膜通用技术要求》（GB/T20501-2021）、《钨铼合金材料规范》（GB/T31987-2015）及相关企业内部质量标准、设备操作手册，结合复合薄膜热电偶的结构特点及使用要求编制。

1.4基本原则

标准化操作：严格按照本规范及设备操作规程执行，确保