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半导体硅材料复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

1.硅的晶体结构属于（）。

A.六方密堆积

B.面心立方

C.金刚石结构

D.体心立方

2.下列方法中，最适合制备高阻（1000Ω·cm）硅单晶的是（）。

A.直拉法（CZ法）

B.区熔法（FZ法）

C.外延法

D.磁控拉晶法

3.硅中掺入硼（B）元素后，半导体类型为（）。

A.N型

B.P型

C.本征型

D.高补偿型

4.硅片化学机械抛光（CMP）中，常用的抛光液不包括（）。

A.SiO?颗粒

B.KOH溶液

C.氧化剂

D.表面活性剂

5.硅中氧沉淀的主要作用是（）。

A.提高载流子迁移率

B.吸附金属杂质

C.增加位错密度

D.降低电阻率

6.硅的禁带宽度（300K）约为（）。

A.0.67eV

B.1.12eV

C.1.43eV

D.2.26eV

7.下列工艺中，用于去除硅片表面自然氧化层的是（）。

A.RCA清洗

B.稀氢氟酸（HF）浸泡

C.等离子体刻蚀

D.高温退火

8.P型硅的电阻率主要取决于（）。

A.电子浓度

B.空