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2026年长鑫存储在线测评快速通关试题及答案汇总

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM单元中，用于存储“1”与“0”的本质物理量是

A.电容电荷量B.晶体管跨导C.位线电流D.字线电压

2.3DNAND中“垂直方向串”结构最主要解决的瓶颈是

A.擦写寿命B.单元面积C.读干扰D.温度漂移

3.下列哪一项不是RowHammer攻击的直接触发条件

A.高频激活同一行B.相邻行电荷泄漏C.刷新周期过长D.位线预充电压过低

4.在1xnmDRAM工艺中，最广泛用于位线接触的金属是

A.CuB.WC.AlD.Co

5.关于DDR5的决策反馈均衡（DFE），下列描述正确的是

A.仅用于写通道B.完全替代片上端接C.可补偿ISID.只在低速模式启用

6.存储器ECC中，SEC-DED码的最小汉明距离为

A.2B.3C.4D.5

7.在3DNAND的“圆形沟道”工艺中，最需关注的应力来源是

A.栅氧层固定电荷B.沟道与填充SiN的界面C.金属栅热膨胀D.源极侧墙硼扩散

8.下列哪一项测试最能快速筛选GateOxidePinhole缺陷

A.IDDq