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CN119683992A 一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管 （深圳众诚达应用材料股份有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-04-20 发布于重庆
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CN119683992A 一种金属氧化物半导体靶材及其制备方法和薄膜晶体管 （深圳众诚达应用材料股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119683992A

    (43)申请公布日2025.03.25

    (21)申请号202510194522.8C04B35/01(2006.01)

    C04B35/622(2006.01)

    (22)申请日2025.02.21

    H10D30/67(2025.01)

    (71)申请人深圳众诚达应用材料股份有限公司

    地址518128广东省深圳市宝安区新安街

    道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部

    大厦A座5层

    (72)发明人周贤界徐红星侯宇航孙立志

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