2026年大学电子科学与技术电子器件试题及答案.docx

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2026年大学电子科学与技术(电子器件)试题及答案

一、单项选择题(共20题,每题2分,总计40分)

1.以下哪种半导体材料的禁带宽度最适合制作可见光发光二极管(LED)?()

A.硅(Si),禁带宽度1.12eV

B.锗(Ge),禁带宽度0.66eV

C.氮化镓(GaN),禁带宽度3.4eV

D.砷化镓(GaAs),禁带宽度1.42eV

答案:D

解析:可见光的光子能量范围约为1.63eV(红光)至3.10eV(紫光)。GaAs的禁带宽度1.42eV接近红光光子能量,通过掺杂调整可实现可见光发射;Si和Ge的禁带宽度对应红外光,GaN的禁带宽度对应紫外光,因此D选项正确。

2.

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