磁阻随机存储器.docx

磁阻随机存储器（MRAM）全球市场总体规模

磁阻随机存储器（MagnetoresistiveRandomAccessMemory，MRAM）是一种基于磁阻效应的非易失性存储技术，其核心单元为磁性隧道结（MTJ），由两个铁磁层夹着一个绝缘隧穿势垒层构成。通过控制自由层与固定层的磁化方向平行或反平行，MTJ呈现低阻态（逻辑0）或高阻态（逻辑1），从而实现数据存储。MRAM的技术演进经历了三代：

第一代：磁场驱动型MRAM，需外部磁场写入，效率较低。

第二代：自旋转移矩MRAM（STT-MRAM），通过垂直于MTJ的电流翻转磁矩，已实现商业化量产，速度接近SRAM，耐久性超过