英飞凌AIKW50N65DH5650V175°C高速开关IGBT
第五代高速开关系列
采用TRENCHSTOPTM5技术的高速快开关IGBT,
与RAPID1快速软恢复反并联二极管共封装
特征和优点:
高速F5技术提供:
•硬开关和谐振拓扑中的行业领先效率
•即插即用,替代上一代IGBT
•650V击穿电压
•低栅极电荷QG
•IGBT与RAPID1快速软恢复反并联二极管共
英飞凌AIKW50N65DH5650V175°C高速开关IGBT
第五代高速开关系列
采用TRENCHSTOPTM5技术的高速快开关IGBT,
与RAPID1快速软恢复反并联二极管共封装
特征和优点:
高速F5技术提供:
•硬开关和谐振拓扑中的行业领先效率
•即插即用,替代上一代IGBT
•650V击穿电压
•低栅极电荷QG
•IGBT与RAPID1快速软恢复反并联二极管共
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