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2025年半导体分立器件和集成电路键合工主管竞选考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体分立器件键合工艺中，金丝球焊的第一键合点（球焊）主要通过哪种能量实现冶金结合？

A.热能+压力

B.超声能+压力

C.热能+超声能

D.激光能+压力

2.集成电路铜铜混合键合（HybridBonding）的关键工艺参数不包括：

A.表面粗糙度（Ra0.5nm）

B.对准精度（≤500nm）

C.键合温度（≥400℃）

D.等离子活化处理时间

3.键合工序中，导致焊线偏移（StitchShift）的常见原因是：

A.劈刀（Capillary）孔径过大

B.超声功率过低

C.焊盘表面污染

D.键合压力过高

4.以下哪项不是键合工艺SPC（统计过程控制）的关键监控指标？

A.焊线弧度高度（LoopHeight）

B.键合点剪切力（ShearForce）

C.设备待机时间

D.焊线拉力（PullForce）

5.铜线键合相较于金丝键合，对工艺环境的特殊要求是：

A.更高的湿度控制（≥60%RH）

B.惰性气体（N?/H?）保护

C.更低的键合温度（100℃）

D.更大的超声功率（300mW）

6.键合设备预防性维护（