2026年考研复试微电子学原理押题试卷（单套）.docxVIP

2026年考研复试微电子学原理押题试卷（单套）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。下列每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填写在答题纸上。）

1.在本征半导体中，温度升高，自由电子和空穴的数量将：

A.增加

B.减少

C.不变

D.先增加后减少

2.PN结加反向电压时，其空间电荷区将：

A.变窄

B.变宽

C.不变

D.先变窄后变宽

3.当温度升高时，二极管的正向压降通常会：

A.升高

B.降低

C.不变

D.先升高后降低

4.在BJT的放大区，其输出特性曲线的形状主要取决于：

A.基极电流

B.集电极电压

C.发射极电流

D.集电极-发射极电压

5.MOSFET的输出特性曲线可以分为几个区域，其中饱和区（也称恒流区）的特点是：

A.栅源电压VGS小于阈值电压VTH

B.栅源电压VGS大于阈值电压VTH，且漏源电压VDS大于栅源电压VGS减去阈值电压VTH

C.漏极电流ID几乎不随漏源电压VDS变化而变化

D.漏极电流ID主要受栅源电压VGS控制

6.