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CN119421447A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-22 发布于山西
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CN119421447A 半导体结构及其形成方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421447A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202310920579.2

    (22)申请日2023.07.24

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人郭琦杨孝东黄俊杰张磊

    (51)Int.Cl.

    H10D30/60(2025.01)

    H10D30/01(2025.01)

    H10D62/10(2025.01)

    权利要求书2页说明书8页附图6页

    (54)发

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