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CN119421474A Igbt器件的内置镇流电阻及其形成方法与igbt器件 （深圳云潼微电子科技有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-22 发布于山西
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CN119421474A Igbt器件的内置镇流电阻及其形成方法与igbt器件 （深圳云潼微电子科技有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421474A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202510030369.5

    (22)申请日2025.01.08

    (71)申请人深圳云潼微电子科技有限公司

    地址518100广东省深圳市坪山区坪山街

    道六联社区昌业路9号新宙邦科技大

    厦701

    申请人重庆云潼科技有限公司

    (72)发明人田甜张伟廖光朝

    (74)专利代理机构四川知研律师事务所51352

    专利代理师李位全

    (51)Int.Cl.

    H10D62/10(2025.01)

    H10D12/00(2

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