CN119989577A 一种vcsel阵列氧化孔径智能优化设计方法 (北京工业大学).pdfVIP

  • 6
  • 0
  • 约1.71万字
  • 约 16页
  • 2026-04-23 发布于重庆
  • 举报

CN119989577A 一种vcsel阵列氧化孔径智能优化设计方法 (北京工业大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119989577A

(43)申请公布日2025.05.13

(21)申请号202510205540.1

(22)申请日2025.02.24

(71)申请人北京工业大学

地址100124北京市朝阳区平乐园100号

(72)发明人金冬月王毅华张万荣那伟聪

王宇轩王楷尧关宝璐

(74)专利代理机构北京思海天达知识产权代理

有限公司11203

专利代理师刘萍

(51)Int.Cl.

G06F30/17(2020.01)

G06F30/27(2020.01)

G06N3/0499(2023.01)

G06N3/084(2023.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档