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英飞凌IGBT系列IKQ40N120CH3 说明书用户手册.pdf

英飞凌IGBT系列IKQ40N120CH3 说明书用户手册.pdf

    IKQ40N120CH3

    英飞凌第三代高速开关IGBT

    采用Highspeed3技术的低开关损耗IGBT

    与软、快速恢复全额定电流反并联EC二极管共封装

    特性：

    高速H3技术提供：

    •展现在硬开关和谐振拓扑中的高效率

    •Tvj=175°C时短路耐受时间为10µsec

    •由于VCEsat具有正温度系数，因此易于并联

    •低电磁干扰

    •低栅极电荷QG

    •非常软、快速恢复的全电流反并联二极管

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