英飞凌IGBT+IKW25N120CS7+用户手册.pdf

英飞凌短路坚固的1200VTRENCHSTOP™IGBT7技术与软和快速恢复发射极控制7二极管

特性

•VCE=1200V

•IC=25A

•IGBT与全电流,软的及快恢复二极管合封

•低饱和电压VCEsat=2VatTvj=175°C

•针对硬开关拓扑进行了优化(2-L逆变器、3-LNPCT型……)

•短路耐受性8µsec

•广泛的dv/dt可控性

•完整的产品品类和PSpice模型:/igbt/

潜在应用

•工业驱动

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