英飞凌短路坚固的1200VTRENCHSTOP™IGBT7技术与软和快速恢复发射极控制7二极管
特性
•VCE=1200V
•IC=25A
•IGBT与全电流,软的及快恢复二极管合封
•低饱和电压VCEsat=2VatTvj=175°C
•针对硬开关拓扑进行了优化(2-L逆变器、3-LNPCT型……)
•短路耐受性8µsec
•广泛的dv/dt可控性
•完整的产品品类和PSpice模型:/igbt/
潜在应用
•工业驱动
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