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2022长鑫存储春招补录在线试题押题卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM单元中，用于存储“1”与“0”的本质物理量是

A.电容电荷量B.晶体管跨导C.位线电压差D.字线电流

2.28nm节点以下，栅氧厚度不再等比例缩小的主要限制因素是

A.短沟道效应B.栅漏电流C.金属线电阻D.光刻精度

3.下列哪种缺陷最可能导致单bit失效但可通过冗余修复

A.颗粒污染B.栅氧针孔C.位线断线D.字线-位线桥接

4.在1T1CDRAM中，读操作前必须先进行的工作是

A.预充电B.自刷新C.写回D.激活

5.对于深槽电容（DT）工艺，增加电容值最直接的手段是

A.提高介电常数B.减小槽深C.降低掺杂D.减薄氧化层

6.在Cu双大马士革工艺中，防止Cu扩散进入介电层通常采用

A.Ta/TaN双层B.TiN单层C.W塞D.SiN帽层

7.下列哪项不是JEDEC标准DDR4与LPDDR4的主要差异

A.通道数B.供电电压C.预取长度D.封装形式

8.在阵列修复方案中，激光熔丝编程属于

A.软修复B.硬修复C.ECCD.刷写

9.当B