CN119433684A 一种碳化硅单晶生长方法和坩埚 (苏州清研半导体科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-04-24 发布于山西
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CN119433684A 一种碳化硅单晶生长方法和坩埚 (苏州清研半导体科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119433684A

(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202510047116.9

(22)申请日2025.01.13

(71)申请人苏州清研半导体科技有限公司

地址215000江苏省苏州市吴中区甪直镇

东方大道268号中科半导体产业社区A

幢802-803室、B幢1-2层申请人清华大学

(72)发明人杨倩倩刘源周杰苏奕霖况家仪梁刚强

(74)专利代理机构苏州创智高诺知识产权代理

有限公司32843

专利代理师叶栋

(51)Int.Cl.

C30B1

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