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深亚微米集成电路互连电阻异常剖析与解决策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，集成电路（IntegratedCircuit,IC）作为现代电子系统的核心，其集成度和性能不断提升，推动着电子设备向更小尺寸、更高性能和更低功耗的方向发展。深亚微米集成电路技术应运而生，成为当今集成电路领域的研究热点和发展趋势。

自20世纪中叶集成电路发明以来，其发展遵循着摩尔定律，即集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。在这一规律的驱动下，集成电路的特征尺寸不断缩小，从最初的微米级逐渐进入深亚微米（通常指特征尺寸小于0.18μm）乃至纳