锰掺杂发光半导体纳米晶的精准合成与氧传感性能的深度解析
一、引言
1.1研究背景与意义
随着纳米技术的飞速发展,发光半导体纳米晶作为一类具有独特光学和电学性质的材料,在过去几十年中受到了广泛关注。传统的半导体量子点,如CdSe、CdTe等,由于其尺寸依赖的发光特性,在生物成像、发光二极管(LED)、太阳能电池等领域展现出巨大的应用潜力。然而,这些量子点中常含有重金属元素,如镉,其毒性对环境和人体健康构成潜在威胁。
卤化铅钙钛矿纳米晶作为新一代发光材料,具有优异的光电性能,如高发光量子产率、窄发射光谱、可溶液加工性等。它们在照明、显示、光电探测等领域表现出极大的应用前景。卤化铅钙钛矿纳
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