CN120091607A 一种沟槽型碳化硅mosfet器件及其制备方法 (无锡新洁能股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-25 发布于重庆
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CN120091607A 一种沟槽型碳化硅mosfet器件及其制备方法 (无锡新洁能股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120091607A

(43)申请公布日2025.06.03

(21)申请号202510214053.1

(22)申请日2025.02.26

(71)申请人无锡新洁能股份有限公司

地址214029江苏省无锡市新吴区电腾路6

(72)发明人朱袁正朱晨凯杨卓黄薛佺

叶鹏

(74)专利代理机构无锡市大为专利商标事务所

(普通合伙)32104

专利代理师曹丽丹曹祖良

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

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