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ROHM技术手册SiC MOSFET Bare Die说明书用户手册.pdf

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    ApplicationNote

    SiCMOSFETBareDie系列

    SiC模块并联驱动振荡的抑制方法

    SiCMOSFET与传统Si器件相比，具有高电压、大电流、高速驱动、低损耗、高温稳定等诸多优点，是新一代器件。近年来，利

    用这些优异特性，作为向大功率发展的电动汽车(EV)的牵引逆变器电路，并联连接多个SiCMOSFET元件的功率模块被使用的情

    况越来越多。

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