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场效应晶体管基本原理及特点

场效应晶体管（Field-EffectTransistor，FET）是一种利用电场效应来控制半导体中电流的电子器件，与双极型晶体管（BJT）不同，它属于电压控制型器件，通过输入电压的变化来调控输出电流，具有输入阻抗高、噪声低、功耗小等显著优势，在集成电路、放大电路、开关电路等领域得到了广泛应用。

一、场效应晶体管的基本结构

场效应晶体管主要分为结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor，JFET）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET）两大类，它们的结构各有特点，但核心组成部分相似。

（一）结型场效应晶体管（JFET）的结构

JFET的基本结构是在一块N型或P型半导体材料上制作两个PN结，形成一个导电沟道。以N沟道JFET为例，它的主体是一块N型半导体，称为N型衬底，在衬底的两侧扩散出两个高浓度的P型区，形成两个PN结，这两个P型区连接在一起，引出一个电极，称为栅极（G）；在N型衬底的两端分别引出两个电极，分别称为源极（S）和漏极（D）。源极和漏极之间的N型区域就是导电沟道，称为N沟道。

P沟道JFET的结构与N沟道JFET类似，只是衬底是P型半导体，两个P型区换成了N型区，导电沟道是P沟道。

（二）金属