CN120057986A 阵列式富硫空位稀土元素掺杂二硫化钼纳米片电极材料及其制备方法和应用 （江西科技师范大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120057986A

(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510218819.3

(22)申请日2025.02.26

(71)申请人江西科技师范大学

地址330013江西省南昌市昌北经济开发

区枫林大道605号（枫林校区）

(72)发明人周卫强余美斯李丹琴徐景坤

靳萌彭子凤

(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务

所(普通合伙)61223

专利代理师王静

(51)Int.Cl.

C01G39/06(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

H01G11/30(2013.01)