CN120018550A Mosfet器件及其制备方法 （晶艺半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120018550A

(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202510216342.5

(22)申请日2025.02.26

(71)申请人晶艺半导体有限公司

地址610094四川省成都市中国(四川)自

由贸易试验区成都高新区蜀锦路88号

1栋2单元14层1403

(72)发明人罗君轶包涵

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理

有限公司11463

专利代理师荣颖佳

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10