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60V 50A 12.3mΩN-通道功率沟槽型MOSFET特性与应用.pdf

60V 50A 12.3mΩN-通道功率沟槽型MOSFET特性与应用.pdf

    FDD5353

    N‑通道功率沟槽型MOSFET60V，50A，

    12.3mΩ

    特性概述

    最大导通电阻=12.3mΩ在VGS10V，ID此N‑通道MOSFET采用FairchildSemiconductor的先进

    =10.7A最大导通电阻=15.4mΩ在VGS=4.PowerTrench®工艺制造，该工艺特别优化以最小化导通状态电

    5V，ID=9.5A100%经UIL测试符合Ro阻，同时保持卓越的开关性能。

    HS

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