250V 4.4A 1.1ΩN沟道UniFETTM MOSFET特性与应用.pdfVIP

FDD6N25N沟道UniFETTM

MOSFET250V,4.4A,1.1

特性描述

•RDS(导通)=1.1(最大值)@VGS=10V,ID=2.2AUniFETTMMOSFET是FairchildSemiconductor®基于平

面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。此MOSFET经过

•低栅极电荷（典型值4.5nC）

优化，旨在降低导通电阻，并更好的开关性能和更高的雪崩

•低Crss（典型值5pF）

能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数

•100%雪崩测试校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX和电子灯

应用镇流器。

•LCD