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半导体电子束光刻技术考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.半导体光刻技术中最常用的光源是什么？

A.红外线

B.可见光

C.紫外线

D.X射线

2.光刻胶的干法刻蚀通常使用哪种气体？

A.氮气

B.氧气

C.氟气

D.氢气

3.光刻工艺中，减小线宽的主要方法是？

A.增加曝光剂量

B.减少曝光剂量

C.使用更短波长的光源

D.使用更长的曝光时间

4.在光刻工艺中，哪一步骤是确定图案形状的关键？

A.光源选择

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

5.光刻胶的类型中，哪一种对紫外线的敏感度较高？

A.正胶

B.负胶

C.正负胶

D.无胶

6.光刻工艺中，哪一步骤是去除未曝光部分的光刻胶？