2023年长鑫存储秋招在线笔试历年真题及答案汇总.docVIP

2023年长鑫存储秋招在线笔试历年真题及答案汇总

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最关键元件是

A.电容?B.电阻?C.电感?D.二极管

2.下列哪一项不是FinFET结构相对于平面MOSFET的优势

A.更好的短沟道效应抑制?B.更低的亚阈值摆幅?C.更高的关态泄漏?D.更高的驱动电流

3.在28nm工艺节点以下，为了降低栅极泄漏，通常采用的高κ介质材料是

A.SiO??B.Si?N??C.HfO??D.Al?O?

4.对于一条宽度为0.1μm、长度为10μm的铝互连线，当厚度从0.2μm减小到0.1μm时，其电阻值将

A.不变?B.增大一倍?C.减小一半?D.增大四倍

5.在SRAM读稳定性分析中，通常用来衡量单元抗扰度的指标是

A.SNM?B.WNM?C.Iread?D.Vtrip

6.下列哪一项最有效地抑制了DRAM刷新频率随温度升高而增加的问题

A.降低单元电容?B.提高字线电压?C.引入温度传感器自适应刷新?D.增加位线预充电压

7.在CMOS反相器直流特性曲线中，噪声容限高低的决定因素是

A.输出高电平?B.输出低电平?C.过渡区斜率?D.电源电压

8.当DRAM进入自刷新模式时，下