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半导体物理期末试题及详细答案

一、填空题（每空2分，共20分）

半导体中载流子的两种主要散射机制是__________和__________。

本征半导体的费米能级位于__________，掺杂后，N型半导体费米能级向__________移动。

PN结的空间电荷区主要由__________构成，其宽度随反向偏压增大而__________。

载流子的迁移率随温度升高而__________，原因是__________。

半导体的禁带宽度是指__________与__________之间的能量差。

二、选择题（每题3分，共15分，只有一个正确答案）

下列哪种半导体材料属于直接带隙半导体（）

A.硅（Si）B.锗（Ge）C.砷化镓（GaAs）D.碳化硅（SiC）

对于N型半导体，下列说法正确的是（）

A.空穴是多数载流子B.电子是多数载流子C.费米能级低于本征费米能级D.掺杂元素为受主杂质

PN结正向偏置时，空间电荷区的变化是（）

A.变宽B.变窄C.不变D.消失

载流子的扩散电流产生的原因是（）

A.电场作用B.载流子浓度梯度C.温度差D.压力差

下列因素中，不会影