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2020长鑫存储校招AI面试+在线试题全套答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最关键晶体管类型是

A.高阈值NMOSB.低阈值NMOSC.耗尽型PMOSD.鳍式场效应管

2.下列哪一项不是FinFET结构相对于平面MOSFET的显著优势

A.亚阈值摆幅降低B.短沟道效应抑制C.栅极漏电流增大D.驱动电流提升

3.在14nm工艺节点，金属互连层普遍采用的低介电常数材料其k值范围约为

A.1.8–2.2B.2.5–3.0C.3.3–3.7D.4.0–4.5

4.用于DRAM刷新的计数器通常位于

A.行地址缓冲器B.列解码器C.刷新地址发生器D.数据寄存器

5.在AI推理加速器中，权重稀疏度为80%时，理论上压缩比最高可达

A.2×B.4×C.5×D.8×

6.下列总线协议中，支持完全一致性且采用目录式监听的是

A.AXI4B.CHIC.APBD.AHB

7.当SRAM单元β比（PD/PG）由1.5提高到2.0时，静态噪声容限SNM将

A.增大B.减小C.不变D.先增后减

8.在3DNAND中，实现垂直方向单元选通的核心结构是