N型硅太阳电池总结剖析3.pdfVIP

1N型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理首先，及掺硼（B）的P型晶体硅材料相比，掺磷

（P）的N型晶体硅材料具有如优势：（1）N型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对

少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。相同电阻率的N型硅

片的少数载流子寿命比P型硅片的高2（）选用掺磷的N型硅材料形成的电池则几乎没有光

致衰减效应的存在。因此,N型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减，3（）

N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率。因此，采用N型

晶体硅材料少子空穴的复合将远低于P型材料中的少子电子的复合。4（）N型硅片对金属污

杂的容忍度要高于P型硅片。对于Fe,Cr,Co,W,Cu,Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅

片高。而对于Au却是相反的。但是对于现代品体制备工艺而言,Au污杂已不再是主要问题。

（5）某些N型电池的生产工艺可以在200度以进行，符合低成本、高产量、高效率的要求。

（6）N型硅电池组件在弱光表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。上述6大优势是