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CN119465326A 导电薄膜及其形成方法、半导体结构的制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-29 发布于山西
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CN119465326A 导电薄膜及其形成方法、半导体结构的制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119465326A

    (43)申请公布日2025.02.18

    (21)申请号202310966860.X

    (22)申请日2023.07.31

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人李瑞

    (51)Int.Cl.

    C25D5/34(2006.01)

    H01L23/488(2006.01)

    H01L21/48(2006.01)

    C25D21/12(2006.01)

    权利要求书2页说明书12页附图5页

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