CN119812286A 硅碳材料及其制备方法、多孔碳基底、负极材料和电池 (万向一二三股份公司).pdfVIP

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  • 2026-04-30 发布于重庆
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CN119812286A 硅碳材料及其制备方法、多孔碳基底、负极材料和电池 (万向一二三股份公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119812286A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202510230976.6H01M10/0525(2010.01)

(22)申请日2025.02.28

(71)申请人万向一二三股份公司

地址310000浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设二路855号

(72)发明人张小祝叶克份陈伟朱丹凤

郝莉

(74)专利代理机构杭州裕阳联合专利代理有限

公司33289

专利代理师金方玮

(51)Int.Cl.

H01M4/36(2006.01)

H01M4/38(2006.01)

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