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2026年考研复试电子设备专业试卷专项训练.docxVIP

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  • 2026-04-30 发布于湖北
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2026年考研复试电子设备专业试卷专项训练.docx

    2026年考研复试电子设备专业试卷专项训练

    考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

    一、填空题（每空2分，共20分）

    1.半导体中，将满带与导带之间的能量间隙称为________能隙。

    2.PN结加正向电压时，耗尽层宽度________（填“变宽”或“变窄”）。

    3.N型半导体中，多数载流子是________，少数载流子是________。

    4.双极结型晶体管（BJT）实现电流放大作用的基础是________效应和________电流。

    5.MOS场效应晶体管（MOSFET）根据导电沟道类型不同，可以分为_

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