年产35万颗硅基光子集成光芯片生产项目可行性研究报告.docx

年产35万颗硅基光子集成光芯片生产项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：年产35万颗硅基光子集成光芯片生产项目

项目建设性质：该项目属于新建工业项目，专注于硅基光子集成光芯片的研发、生产与销售，致力于打造技术领先、产能稳定的光芯片制造基地。

项目占地及用地指标：项目规划总用地面积52000平方米（折合约78亩），建筑物基底占地面积37440平方米；规划总建筑面积61360平方米，其中绿化面积3432平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积10528平方米；土地综合利用面积51400平方米，土地综合利用率98.85%。

项目建设地点：项目选址位于浙江省杭州市临安