CN119480661A 检测方法 （浙江创芯集成电路有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480661A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202311006924.8

(22)申请日2023.08.10

(71)申请人浙江创芯集成电路有限公司

地址311200浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设三路733号

(72)发明人任堃吴永玉高大为

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师吴敏

(51)Int.Cl.

H01L21/66(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称检测方法

(57)摘要

CN119480661A一种检测方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有掺杂离子；对半导体结构进行取样处理，获取测试样品，所述测试样品包括测试端和接电端，所述测试样品的测试端包括第一掺杂区；采用原子探针断层分析术获取第一掺杂区内掺杂

CN119480661A

CN119480661A权利要求书1/2页

2

1.一种检测方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有掺杂离子；对半导体结构进行取