三维微纳米结构在增强GaN基LED发光效率上的应用的任务书.pdfVIP

三维微纳米结构在增强GaN基LED发光效率上的

应用的任务书

任务书

一、选题背景

氮化钱(GaN)基LED其具有高亮度、高效率和长寿命等优势，

已经成为当前光电技术领域的主流研究方向之一。在GaN基LED的发光

机制中，效率瓶颈主要集中在光子释放的过程上，其中重要素之一即

为电子与空穴的复合率太低，从而造成大量的电子和空穴不能及时复合

形成光子而失去能量。此，为了改善电子与空穴复合的速率，通常会

在GaN基LED内部加入一些增强材料,如多重异质结、量子点等,通过

优化电子和空穴的能带结构，提高光子产生的效率。而随着微纳米技术

的不断发展，近年来越来越多的研究表明,将微纳米结构弓I入到GaN基

LED中，可以进一步增强材料的光学性能，提高发光效率。

二、研究目的

本次研究旨在通过引入三维微纳米结构,来提高GaN基LED的发光

效率和光学性能，探究微纳米结构对GaN基LED的光子产生和传播的影

响，为G