HJT电池发展策略.ppt

HJT电池发展策略讲解人：***（职务/职称）日期：2026年**月**日

HJT电池技术概述HJT技术核心突破方向产业化关键挑战与降本策略市场竞争格局与头部企业布局未来市场前景与政策驱动典型应用场景与案例研究目录

HJT电池技术概述01

异质结电池结构与原理非晶硅/晶体硅异质结对称双面结构设计低温工艺兼容性HJT电池的核心结构由非晶硅（a-Si）薄膜与晶体硅（c-Si）基板构成，通过钝化接触层减少载流子复合，提升开路电压。非晶硅层沉积在晶体硅两侧，形成PN结和本征钝化层，显著降低表面缺陷。与传统PERC电池的高温扩散工艺不同，HJT电池采用低温（200°C）薄膜沉积技术（如PECV